华南师范大学学报(自然科学版)
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华南师范大学学报(自然科学版)  2017, Vol. 49 Issue (3): 1-6    DOI:
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In、Ga掺杂对SnO2的第一性原理研究
姜如青1,2,欧阳剑3,杨辉3,郑树文2,赵灵智4,宿世臣5
1.
2. 华南师范大学 光电子材料与技术研究所
3. 1. 华南师范大学 光电子材料与技术研究所 广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室,广州 510631;
4. 华南师范大学光电子材料与技术研究所
5. 华师材料所
First-Principles Investigations of the electronic structures and optical Properties of SnO2 with In and Ga Defects

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